IPM炸

colin_z · 发表于 2019-6-24 14:24

这个原因根源找到了吗慢危险的

w70770777 · 发表于 2019-10-16 11:53

其实成熟的控制板短路引起的爆炸几率还是很小的，大多是瞬间电压过大造成的损坏

north · 发表于 2020-3-25 13:34

IPM使用中过热保护是非常需要注意的，不可全部根据自带的NTC来做温度保护，要加温度补偿，最好是热电偶测不加散热器的壳温，并以此数据来做过温保护。

north · 发表于 2020-3-25 13:52

north 发表于 2020-3-25 13:34
IPM使用中过热保护是非常需要注意的，不可全部根据自带的NTC来做温度保护，要加温度补偿，最好是热电偶测不 ...

失效MOS开壳内部结构图

liujinming666 · 发表于 2021-1-11 20:45

抛砖引玉，提一下最近的项目，最近正在做一个内置式PMSM电机控制器，直流24V电压，我做控制器和底层采用预驱+MOS方式，DRV8343S+DMTH6004；客户做应用层及提供电机，低转速段旋转高频注入法+高转速反电势。
目前遇到的问题就是高频注入时，如果注入幅值和频率选取不合理，会引起MOS管过流（估计原因是上下管导通），通过增加注入频率到500hz，减小注入幅值，死区调到4us，可以暂时解决问题。但是在相电流60A以上时还是会偶尔报过流故障，待解决中。
问题解决了在更新。

Pisces_Hades · 发表于 2021-1-12 10:40

liujinming666 发表于 2021-1-11 20:45
抛砖引玉，提一下最近的项目，最近正在做一个内置式PMSM电机控制器，直流24V电压，我做控制器和底层采用预 ...

4uS的死区治标不治本，我的判断应该是底层的哪个寄存器或者变量溢出了。

哈哈龙神泽 · 发表于 2021-1-25 09:17

永磁同步电机电机高速反向充电，会使得DS之间电压高于mos或者电容的击穿电压，有可能把两个都给弄坏

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