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3.1射频磁控溅射原理
所谓溅射是指荷能粒子轰击固体表面(靶),使固体原子(或分子)从表面射出的现象。射出的粒子大多呈原子状态,常称为溅射原子。用于轰击靶的荷能粒子可以是电子、离子或中性粒子,因为离子在电场作用下易于加速并获得所需动能,因此大多采用离子做为轰击粒子。
溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应,而整个过程都是建立在辉光放电的基础之上,即溅射离子都来源于气体放电。不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同。直流二极溅射利用的是直流辉光放电,三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电,射频溅射是利用射频辉光放电,磁控溅射是利用磁场控制下的辉光放电。
3.1.1磁控溅射
磁控溅射的工作原理如图3-1所示。电子e在电场E的作用下,在飞向基板过程中与氩原子发生碰撞,使其电离出Ar+和一个新的电子e。电子飞向基片,Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子则淀积在基片上形成薄膜。二次电子e1一旦离开靶面,就同时受到电场和磁场的作用。为了便于说明电子的运动情况,我们近似认为二次电子在阴极暗区时只受电场作用,一旦进入负辉区就只受磁场作用。于是,从靶面发出的二次电子,首先在阴极暗区受到电场加速而飞向负辉区,进入负辉区的电子具有一定速度且垂直于磁力线运动。在这种情况下,电子由于受到磁场洛仑兹力的作用而绕磁力线旋转。电子旋转半圈之后,重新进入阴极暗区,受到电场减速。当电子接近靶面时,速度即可降到零。然后电子又在电场的作用下,再次飞离靶面并开始一个新的运动周期。电子就这样周而复始,跳跃式地朝E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移。电子在正交电磁场作用下的运动轨迹近似于一条摆线。若为环行磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面作圆周运动。
图3-1 磁控溅射工作原理
Fig. 3-1 Schematic diagram of magnetron sputtering
二次电子在环状磁场的控制下,运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,在该区中电离出最大的Ar+ 离子用来轰击靶材,从而实现了磁控溅射淀积速率高的特点。随着碰撞次数的增加,电子e1的能量消耗殆尽,逐渐远离靶面。并在电场E的作用下最终淀积在基片上。由于该电子的能量很低,传给基片的能量很小,致使基片升温较低。另外,对于e2类电子来说,由于磁极轴线处的电场与磁场平行,电子e2将直接飞向基片,但是在磁极轴线处离子密度很低,所以e2电子很少,对基片温升作用极微。
综上所述,磁控溅射的基本原理就是以磁场来改变电子的运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量,使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时,受正交电磁场束缚的电子,又只能在其能量耗尽时才沉积在基片上。这就是磁控溅射具有低温、高速两大特点的原因。
3.1.2 射频磁控溅射
由于直流磁控溅射装置需要在溅射靶上加一负电压,因而就只能溅射导体材料,溅射绝缘靶时,由于放电不能持续而不能溅射绝缘物质。为了淀积介质薄膜,导致了射频溅射技术的发展。
射频溅射利用射频辉光放电产生溅射所需正离子。射频电源对绝缘靶之所以能进行溅射镀膜,主要是因为在绝缘靶表面上建立起负偏压的缘故。当溅射靶处于上半周时,由于电子的质量比离子的质量小得多,故其迁移率很高,仅用很短时间就可以飞向靶表面,中和其表面积累的正电荷,从而实现对绝缘材料的溅射。并且在靶面又迅速积累大量的电子,使其表面因空间电荷呈现负电位,导致在射频电压的正半周期时也吸引离子轰击靶材,从而实现了在正、负半周中均可产生溅射。 |
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