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[求助] IGBT关断时间为什么这么长

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该用户从未签到

发表于 2019-7-12 11:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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刚开始学习IGBT,于是就搭了一个简单的测试电路,见下图:
IGBT.png
IGBT型号:NGTG15N60S1EG
IGBT串接了一个10K的电阻连接到了一个30V的稳压直流电源上面。
IGBT 控制的Rg为3欧姆,由一个A316J驱动板驱动。

以下为示波器的波形:
IGBT.jpg

可以看出来:
1. IGBT的开通延迟很小,小于1us;
2. IGBT的关断延时很大,大约12us.

我准备做一个20KHZ的逆变电路,这么大的关断延迟是不可接受的。
我看IGBT的资料上面,开通/关断的时间均在1us内。
请前辈们帮忙分析下是什么原因?
NGTG15N60S1E-D.PDF (124.35 KB, 下载次数: 5)

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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2019-7-12 12:04 | 显示全部楼层
我记得我以前测试mos上升和下降延时时间是G端直接上10V测试,这个延时时间一般datasheet比较准,不会这么大差距
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 楼主| 发表于 2019-7-12 21:07 | 显示全部楼层
18201975434 发表于 2019-7-12 12:04
我记得我以前测试mos上升和下降延时时间是G端直接上10V测试,这个延时时间一般datasheet比较准,不会这么大 ...

具体怎么测试呢,可以详说吗?

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按照datasheet操作,每个数据都有测试条件的,都会说其他电压电流如何给定  详情 回复 发表于 2019-7-13 09:12
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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2019-7-13 09:12 | 显示全部楼层
sammysun 发表于 2019-7-12 21:07
具体怎么测试呢,可以详说吗?

按照datasheet操作,每个数据都有测试条件的,都会说其他电压电流如何给定
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发表于 2019-7-16 08:32 | 显示全部楼层
一般数据手册给出的都是额定电压额定电流下的开通关断时间。小占空比下电流小,关断时间自然很长。

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老哥,你没看清楚吧,他说的是开通和关断的延时时间  详情 回复 发表于 2019-7-16 12:07
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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2019-7-16 12:07 | 显示全部楼层
zzy51607 发表于 2019-7-16 08:32
一般数据手册给出的都是额定电压额定电流下的开通关断时间。小占空比下电流小,关断时间自然很长。

老哥,你没看清楚吧,他说的是开通和关断的延时时间
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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2019-8-17 17:13 | 显示全部楼层
这个原因很多的,会不会是驱动电路的问题,我看数据手册里面,门极电阻Rg为3欧的数据是没有的。
并且,30V电压串接10k电阻,电流应该很小。与而测试条件下的也不一样。总之,这数据差的也太大了。很不正常。关断时间占导通时间的比例有点大。
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发表于 2019-8-21 14:58 | 显示全部楼层
准确的讲,你这个不叫关断延时了,延时是指从驱动到GE,到CE开始导通/关断这段时间。
你把CE极串联的电阻,再搞大点,可能怕是会到ms级去哟。算一算你的CE级寄生电容,和你的RC充电时间,是不是和你示波器上这个值接近。

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你说的这个延时应该是指G端从10%上升到90%的时间,这个一般定义是延时时间,这个延时时间就是因为米勒电容的存在影响的,调整RC可以调节这个时间  详情 回复 发表于 2019-8-22 09:35
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发表于 2019-8-22 09:35 | 显示全部楼层
重庆酱油仔 发表于 2019-8-21 14:58
准确的讲,你这个不叫关断延时了,延时是指从驱动到GE,到CE开始导通/关断这段时间。
你把CE极串联的电阻 ...

你说的这个延时应该是指G端从10%上升到90%的时间,这个一般定义是延时时间,这个延时时间就是因为米勒电容的存在影响的,调整RC可以调节这个时间

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IGBT关断时间,从栅极电压下降到最大值的90%时开始,到集电极电流在下降电流的切向上下降到10%时为止的时间。  详情 回复 发表于 2020-9-22 09:39
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发表于 2019-8-26 10:55 | 显示全部楼层
建议看下门级电容,G和E之间是否是加了很大的电容,如果电容太大,关断时间肯定也会很大。

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你好请问下,如果门极电容大的话,不应该导通时间和关断时间都长吗?不甚了解,谢谢。  详情 回复 发表于 2020-9-22 09:36

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发表于 2019-9-20 16:46 | 显示全部楼层
吃个瓜吧,各位聊的不甚了解,学习中
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发表于 2019-9-22 11:44 | 显示全部楼层
门级电压是多少伏?门级电压低的话开通时间肯定也会变长。不过看波形,有可能是驱动芯片未加推挽电路,没有那么大的卸放电流能力。
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发表于 2020-1-19 15:24 | 显示全部楼层
延时时间不能这么测试,IGBT是有拖尾电流的;另外,测试IGBT的性能,建议最好用双脉冲的测试方法和电路

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发表于 2020-9-22 09:36 | 显示全部楼层
maozhu1988 发表于 2019-8-26 10:55
建议看下门级电容,G和E之间是否是加了很大的电容,如果电容太大,关断时间肯定也会很大。

你好请问下,如果门极电容大的话,不应该导通时间和关断时间都长吗?不甚了解,谢谢。
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发表于 2020-9-22 09:39 | 显示全部楼层
18201975434 发表于 2019-8-22 09:35
你说的这个延时应该是指G端从10%上升到90%的时间,这个一般定义是延时时间,这个延时时间就是因为米勒电 ...

IGBT关断时间,从栅极电压下降到最大值的90%时开始,到集电极电流在下降电流的切向上下降到10%时为止的时间。
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发表于 2020-9-22 17:05 | 显示全部楼层
IGBT 是不是要並聯二極體在DS端?

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现在有的IGBT自带体二极管了,所以现在设计的时候要先了解选用的IGBT参数  详情 回复 发表于 2020-9-25 08:53
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发表于 2020-9-25 08:53 | 显示全部楼层
wizarddyu 发表于 2020-9-22 17:05
IGBT 是不是要並聯二極體在DS端?

现在有的IGBT自带体二极管了,所以现在设计的时候要先了解选用的IGBT参数

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heguojia + 3 很给力!

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