IGBT关断时间为什么这么长
刚开始学习IGBT，于是就搭了一个简单的测试电路，见下图：IGBT型号：NGTG15N60S1EG
IGBT串接了一个10K的电阻连接到了一个30V的稳压直流电源上面。
IGBT 控制的Rg为3欧姆，由一个A316J驱动板驱动。
以下为示波器的波形：
可以看出来：
1. IGBT的开通延迟很小，小于1us；
2. IGBT的关断延时很大，大约12us.
我准备做一个20KHZ的逆变电路，这么大的关断延迟是不可接受的。
我看IGBT的资料上面，开通/关断的时间均在1us内。
请前辈们帮忙分析下是什么原因？
我记得我以前测试mos上升和下降延时时间是G端直接上10V测试，这个延时时间一般datasheet比较准，不会这么大差距 18201975434 发表于 2019-7-12 12:04
我记得我以前测试mos上升和下降延时时间是G端直接上10V测试，这个延时时间一般datasheet比较准，不会这么大 ...
具体怎么测试呢，可以详说吗？ sammysun 发表于 2019-7-12 21:07
具体怎么测试呢，可以详说吗？
按照datasheet操作，每个数据都有测试条件的，都会说其他电压电流如何给定 一般数据手册给出的都是额定电压额定电流下的开通关断时间。小占空比下电流小，关断时间自然很长。 zzy51607 发表于 2019-7-16 08:32
一般数据手册给出的都是额定电压额定电流下的开通关断时间。小占空比下电流小，关断时间自然很长。
老哥，你没看清楚吧，他说的是开通和关断的延时时间 这个原因很多的，会不会是驱动电路的问题，我看数据手册里面，门极电阻Rg为3欧的数据是没有的。
并且，30V电压串接10k电阻，电流应该很小。与而测试条件下的也不一样。总之，这数据差的也太大了。很不正常。关断时间占导通时间的比例有点大。 准确的讲，你这个不叫关断延时了，延时是指从驱动到GE，到CE开始导通/关断这段时间。
你把CE极串联的电阻，再搞大点，可能怕是会到ms级去哟。算一算你的CE级寄生电容，和你的RC充电时间，是不是和你示波器上这个值接近。 重庆酱油仔 发表于 2019-8-21 14:58
准确的讲，你这个不叫关断延时了，延时是指从驱动到GE，到CE开始导通/关断这段时间。
你把CE极串联的电阻 ...
你说的这个延时应该是指G端从10%上升到90%的时间，这个一般定义是延时时间，这个延时时间就是因为米勒电容的存在影响的，调整RC可以调节这个时间 建议看下门级电容，G和E之间是否是加了很大的电容，如果电容太大，关断时间肯定也会很大。 吃个瓜吧，各位聊的不甚了解，学习中 门级电压是多少伏？门级电压低的话开通时间肯定也会变长。不过看波形，有可能是驱动芯片未加推挽电路，没有那么大的卸放电流能力。 延时时间不能这么测试，IGBT是有拖尾电流的；另外，测试IGBT的性能，建议最好用双脉冲的测试方法和电路 maozhu1988 发表于 2019-8-26 10:55
建议看下门级电容，G和E之间是否是加了很大的电容，如果电容太大，关断时间肯定也会很大。
你好请问下，如果门极电容大的话，不应该导通时间和关断时间都长吗？不甚了解，谢谢。 18201975434 发表于 2019-8-22 09:35
你说的这个延时应该是指G端从10%上升到90%的时间，这个一般定义是延时时间，这个延时时间就是因为米勒电 ...
IGBT关断时间，从栅极电压下降到最大值的90%时开始，到集电极电流在下降电流的切向上下降到10%时为止的时间。 IGBT 是不是要並聯二極體在DS端? wizarddyu 发表于 2020-9-22 17:05
IGBT 是不是要並聯二極體在DS端?
现在有的IGBT自带体二极管了，所以现在设计的时候要先了解选用的IGBT参数 wizarddyu 发表于 2020-9-22 17:05
IGBT 是不是要並聯二極體在DS端?
应该反并联快速二极管在负载电阻端。
IGBT自带的二极管不是自己用的，而是给别人用的（互相共享）。 zengxiaodong 发表于 2020-11-3 11:37
应该反并联快速二极管在负载电阻端。
IGBT自带的二极管不是自己用的，而是给别人用的（互相共享）。
曾老师，麻烦您不知道就别回答了yc_face60 18201975434 发表于 2020-11-10 09:00
曾老师，麻烦您不知道就别回答了
谁能保证回答肯定正确？你能吗？
我既然回答了，那肯定是我自认为正确呀，至于是否真的正确，需要大家各自加以鉴别。我经常碰到的情况是正确的说法被不懂的人认为是胡说八道呢！
还有人认为我对于修理电机的人讲理论，对于电机设计的人又讲工艺呢，而且专门误导初学者......
页:
[1]
2