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要在绕组里模拟集肤效应,鉴于庞大计算量,我先拿个简单的例子模拟,不过却发现问题了,不废话了,直接上图。。。。
1. 这是简单模型图,中心是导体,外围是硅钢片的材料模拟体。求解器是2D的Eddy Current,同样的模型在静磁场中已经模拟过了,结果正确。现在需要模拟交流场下的集肤效应。
2. 输入激励。这里我其实不太明白,我在电流栏输入1000A,Phase为0,在求解中频率扫描从100Hz到1000Hz,每100Hz扫描一次。提问:是否我这样的设置就表示我的激励就是 i=1000A*sin(2*pi*100Hz+0)?
3.然后我就求解了。。。结果问题很大,下面两幅分别是100Hz和1000Hz的电密,
这两幅图的电密结果,从集肤效应的角度讲,根本算是差不多一样的。同样的模型,我在ANSYS WB中模拟了1000Hz的结果,发现集肤效应已经很明显了。
4. 后来我手痒了一下,去改了下Phase的值,结果图像上出现了集肤效应,但是数值上却是远远小很多,提问:据理论,集肤效应的渗透度应该和频率有关系,和相位是没关系的,怎么我模拟出来的结果却是和相位有关,和频率基本无关了呢。。。求解啊求解
谢谢大家了。。。。。 |
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