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[讨论] 电流单电阻取样和三电阻取样的区别?

 火... [复制链接]

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 楼主| 发表于 2010-2-8 11:49 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州

关于单电阻和上电阻采样电流的区别?

在低功率,低成本的变频器中,通常用电阻取样代替霍尔电流传感器。
而电阻取样有两种,一种是在DC-Link的单电阻取样,另外一种是在下上桥的三电阻取样。
这两张方法理论上好像都能实现相电流的重构,而且我在一些paper了解,三电阻取样能比单电阻较准确获得想基波电流信息。为什么?
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发表于 2010-2-8 14:42 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国江苏苏州

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在Low-cost inverter中,常用电阻进行电流采样。
电流采样有两种,一是DC-link 单电阻和下三桥三电阻电流取样,理论上讲知道开关管状态信息都能够重构相电流,而有些人讲下三桥电阻电流取样比DC-link单电阻电流采样更能准确取得基波电流的信息?
请问这句话怎么理解?

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 楼主| 发表于 2010-2-8 14:45 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
再问:
在变频器的保护中,有过流、过压、欠压、过热、接地等故障保护,请问他们的优先级怎么排列?
优先级排列的依据?Thanks in advance.

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发表于 2010-2-9 16:08 | 显示全部楼层 来自: 中国上海
三电阻在同一个点(续流时零矢量处,前提是电流连续)采更准一些吧.
单电阻在不同时刻采(另外还要在对称矢量处再采2次做补偿)可能有些差吧
另外在电压矢量接近基本矢量的位置其中一个空间分量会比较小, 也就是采保时间比较短需要特殊处理吧

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 楼主| 发表于 2010-2-23 10:16 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
thans a lot。
相对三电阻,单电阻在扇区过渡和低频时,其重构相电流的可靠性相对差很多。

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 楼主| 发表于 2010-2-23 10:21 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
这些是一些关于low-cost inverter电阻采样的不错的paper。
A current control technique for induction machine drives using integrated pilot currrent sensors in the low-side switches_IEEE

Low cost phase current sensing in DSP based AC drives_IEEE

Scheme to reconstruct phase current information of inverter fed AC drives_IEEE

Single-Shunt Three-Phase Current Reconstruction Algorithm for Sensorless FOC of a PMSM_Microchip

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 楼主| 发表于 2010-2-23 10:26 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
有钱人,尽情下吧!

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 楼主| 发表于 2010-2-23 10:31 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
有些文件的名称很长,所以不能不能显示。
请问怎么样才能完全显示啊?
还有,如果我想把名称放在前面,然后upload文件。好像上传的文件排列都在一块去了!

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 楼主| 发表于 2010-2-23 10:35 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
Again! 为什么自己回帖和发帖不能重新编辑呢?

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发表于 2010-2-23 21:38 | 显示全部楼层 来自: 中国广东深圳
能把文件名改一下就好了,资料不错,非常感谢
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发表于 2010-3-2 12:12 | 显示全部楼层 来自: 中国广东深圳
过流第一!

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发表于 2010-3-2 17:14 | 显示全部楼层 来自: 中国浙江杭州
主要看系统的速度,如足够快,可用单电阻重构。
三电阻电流取样对系统速度要求低一些。

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发表于 2010-3-4 00:08 | 显示全部楼层 来自: 中国上海
zhouhaiyong兄弟自己都认真看过,还有批注,难得,多谢。
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发表于 2010-3-4 08:39 | 显示全部楼层 来自: 中国上海
单电阻垂构要考虑如下:
1.MCU支持这个功能。否则实现非常不容易且不晚检测
2.对负载运行要求,如果在轻载和重载都要求,则单电阻不不能采用。
3.对PWM死区进行补偿不晚采用。

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 楼主| 发表于 2010-3-4 17:37 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏苏州
Thanks a lot for gyc198215!
在轻载情况下变频器的DC-bus link存在电流回灌的情况,即P端电流是负的,请问是否这个原因导致轻载情况下单电阻不能检测到相电流信息?
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发表于 2010-3-4 23:21 | 显示全部楼层 来自: 中国上海
关于保护的优先级别,我觉得过流和接地是需要最快响应的,其次是过压和欠压,温度本身很难迅速变化,所以过温放最后,不知道对不对,呵呵。

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发表于 2010-10-12 16:49 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏无锡
过流和过压优先
单电阻对工程师的技术要求比较高
三电阻好一点
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发表于 2011-3-2 20:41 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏常州
这个取决于各家的控制器方案,TI C2000系列双电阻采样法,采样时机放在PWM的下溢中断进行;
STM32的方案采用三电阻采样法,每次需要采集两个电流,采集哪两个电流由SVPWM当前扇区决定,还有Microchip的单电阻方案,采用单电阻方式采样,在一组7段矢量的时间内,根据不同的开关顺序,进行多次采样。
我在博客上写了一篇《C2000/STM32/Microchip电阻采样方案比较》的文章,有兴趣的可以去看看。
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发表于 2011-3-21 20:57 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏镇江
三相的肯定三电阻采样准确啊,单电阻采出来的误差,再运算也是有误差的
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发表于 2011-3-22 08:27 | 显示全部楼层 来自: 中国江苏无锡
单电阻采样理论上是没有问题的 误差可以通过软件或硬件滤波来消除 问题是单电阻在不同负载下产生的飘动问题 是有迹可循的 但是没看到那篇文章上阐述的比较透彻的 有大侠研究过吗?
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