v12中bldc外电路参数设置问题

kenwin · 发表于 2009-11-4 11:23

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本帖最后由 kenwin 于 2009-11-4 11:26 编辑

在v12中bldc外电路自己给建好了，只需要设置参数就行，这个对于我等新手来说方便了许多
但是相关的参数如何设置却不太懂。我们实际当中使用的是mos管，v12的电路编辑器没有相关的部件。对于二极管的参数，有些地方实在不知道怎么和实际的对应起来。哪位大侠给指点一下，小弟万分感谢！或者能够提高一些资料也好。

kenwin · 发表于 2009-11-25 16:28

汗，没人帮忙指点一下？
呼唤版大，help。。。呵呵

ghostwild · 发表于 2009-11-25 18:40

看不懂是什么东西

brianmary · 发表于 2009-11-25 23:34

我记得在Y版主的帖子里和置顶的帖子里有这方面的设置讨论。楼主可以去看看。

xueshaoshen · 发表于 2010-4-27 20:45

Is为二极管饱和电流，Rs为接触电阻，N为扩散系数，EG为正向压降，XTI为二极管饱和电流温度系数，BV为二极管反向击穿电压峰值，IBV为二极管反向击穿电流峰值，TNOM为参考温度

SH611119 · 发表于 2011-3-3 22:24

问题太宽泛了，还是翻翻坛子里的帖子自己学习吧。

dav · 发表于 2012-4-8 10:20

外电路可以设计优化吗

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