IGBT击穿，请各路大神分析一下

slang2010

碰到一个问题IGBT击穿，结构是一样的逆变器，元器件、驱动电路、保护电路也是一样；
叠层母线结构也是一样，但是有的模块IGBT击穿，有的是好的，为什么？
理论上讲，叠层母线的杂散电感，结构定了后电感也应该不会有变化，为什么有的模块击穿有的不击穿；
模块装配完成后测试电压应力值超标，更换母排，测试电压应力值又恢复正常；
有大神可以解释一下这个是什么原因造成的，母排的电感不一样？还是有其它原因？
如果说母排电感不一样，那这个问题就麻烦了，我们理论分析或者单体的实际测试都不能作为装机的依据了；
我们得一台一台的去测，那这个报废成本就太高了，而且就跟**一样，我不知道那台会爆。

sxgl

IGBT模块本身自己的差异有没有考虑？如果电路本身有问题，IGBT就工作在危险区域，也不排除部分会损坏，部分正常。

tanjunjield

你说的太分散了，问题没有说明白。
你是什么样的IGBT，什么样的应用场合，在什么情况下击穿，是个案还是多次出现？

slang2010

如果改变驱动电阻来改变IGBT的开关频率，那IGBT开关损耗也会增加，这样使用寿命就降低了，另外一个IGBT的温升问题，如果是有的击穿有的不击穿，那瞬间温度也不应该很高，也不好测量，就一点时间；所以我想问的是系统本身的设计是否就有问题；
IGBT是选的富士的1200V的具体型号不清楚，还有这个跟IGBT的电流参数有关系吗？我有一点不明白的就是叠层母线的结构定了后，电感会有变化吗？如果有那影响电感变化的因素是什么？

slang2010

产品是光伏逆变器，其实我对电气系统不了解，我只是做其中的配件叠层母排，但是遇到了这样的问题，我现在解释不清楚到底是母排问题还是系统设计问题；
母线的额定电压是1000V，额定电流是1000A；IGBT选的富士的1200V的其中一种，具体哪一种我不知道；按照公式：U=L*Dl/Dt      U的变化因素就是电感和单位时间内的电流；
所以问题就来了，母线产生的电感会对IGBT的电应力有影响；但我做了很多年的母线，还没有发生过这样的问题，母线结构设计完成后一批产品里有的能通过测试；
有的不能？所以我想问问，母线电感会变化吗？如果会，变化的因素是什么？

mtswz213

IGBT有没有做短路保护，过流保护是否与设计相符，你有没有测试波形。

slang2010

mtswz213 发表于 2018-11-8 08:41
IGBT有没有做短路保护，过流保护是否与设计相符，你有没有测试波形。

这个我不是很清楚，因为模块不是我做的，我只是做了母线；
我现在主要想知道这样的情况跟母排是否有关系；有关系我要怎么去解决。

maozhu1988

看问题描述，母排一般都比较粗，杂散电感很小，影响的是Vce电压尖峰，就算Vce电压尖峰超过1200V而损坏器件，也是可以通过增大关断电阻去调整的，这个也是系统级设计问题。

diankongweilai

按照你这么描述，感觉工艺一致性方面是不是有问题呀。

zhaolingkang1

slang2010 发表于 2018-11-8 09:31
这个我不是很清楚，因为模块不是我做的，我只是做了母线；
我现在主要想知道这样的情况跟母排是否有关系 ...

程序问题，上下桥同时导通了。