IGBT模块的反并联二极管经常烧掉什么原因呢?
最近遇到了这个问题,我们采用的是英飞凌的三相IGBT模块,在控制中,经常出现C相上桥臂的反并联二极管烧掉,直接击穿,正常电阻为1.365M欧,烧掉电阻就成了0.5欧姆了~同志们之前遇到过这种现象没?来帮忙分析下~ 反电势导致过压? 回复 2# yokel现在还在低速唉,反电动势也就五六十伏,这个可是能承受1200V的呀 那我问你,你的IGBT模块的驱动是自己做的吗? 二极管应该是被过压击穿吧。你应该看看控制器的尖峰电压多少?虽然电机运行在低速下,但大扭矩时,IGBT的电流会很大,若控制器的杂散电感控制不好的话,会产生很高的尖峰电压,叠加在你的母线电压上的。最好是在驱动上加过压牵位电路,控制器上加缓冲电路 看来高手不少,学习了! 先排除过电流。是否加了吸收电压尖峰的东西。 估计是电机参数没有配好,就会造成此类现象! 靠近IGBT放置于母排上的无感薄膜电容未能起到吸收关断IGBT时产生的surge voltage的作用。检查薄膜电容器选取是否合适,检查薄膜电容器是否靠近IGBT,检查薄膜电容的连接是否真的做到寄生电感最小。 会不会是di/dt太大的原因? 楼主的问题最后怎么解决的,我最近也遇到了相关问题,我的二极管炸的比较多,A、B相都炸了 怎么解决的?我也是经常轧管~~
首先,你是低压带载?还是空载?开关频率多少?
其次,如果只烧二极管,应该考虑过压击穿,我也一直搞不明白咋就低压条件下就过压击穿~~~大神指导啊,在西莫群里有位大神说过一般都是过压击穿,但是,不说原因~~哎 1.确定下输出驱动行是否正确
2.可以检测下母线电压波形,看下尖峰电压有多大
3.检查下吸收阻容匹配是否合适
页:
[1]