hitbuyi 发表于 2011-5-21 16:15

关于MOSFET的发热

是来自于导通损耗,还是开关损耗?

如果都导通损耗和开关损耗都引起发热,那么,哪个方面引起的发热是主要的?

guostone 发表于 2011-5-31 16:01

这个取决于两个条件。我觉得：
1、你的PWM频率，如果是十几K的话，开关损耗不太大的。
2、你的开关速度，如果开关够快的话，MODfet的放大区呆的时间够短，开关损耗不太大的。


另外，到底哪个大，也跟导通电流的大小有关的

hitbuyi 发表于 2011-6-11 10:31

回复 2# guostone


谢谢回复,你说的是对的
我查了一大堆资料,基本上搞清楚了
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