Maxwell低频磁场屏蔽仿真与理论计算对比
本帖最后由 道礼 于 2025-11-30 10:24 编辑我在做金属板低频磁场屏蔽仿真的时候遇到一个离谱的问题。
交流磁场屏蔽采用Maxwell模块的涡流场求解器进行仿真，激励源设置根据GB/T12190-2021电磁屏蔽室屏蔽效能的测试方法，激励设置为屏蔽层0.3 m处直径0.3 m的电流环，对比屏蔽前后屏蔽层另一面0.3m处的磁感应强度大小，计算屏蔽效能。
对1 mm金属板的交流屏蔽性能进行了仿真，激励线圈距离金属板0.3 m，分别对铝、铜、铁仿真和计算结果进行了对比。
理论计算：金属板对低频磁场近场的屏蔽效能主要由三部分构成，RdB反射损耗、MdB多次反射、AdB吸收损耗，Zwm和η为近场磁场阻抗和材料特征阻抗，δ为材料驱肤深度。
对比发现非磁性的金属板仿真得出的结果与理论计算基本一致，但加入磁导率后（无论是非线性的磁滞回线还是设置为常数）计算结果就与理论计算偏差很大，且明显不正确。
各位大佬有没有对这块有了解的，或者其他仿真软件是否也有同样的问题？
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