YYYao 发表于 2021-1-19 10:10

mos管高侧光耦驱动信号走线

在采用光耦驱动mos管搭建的3相全桥时，高侧光耦的地走线与信号走线需要满足什么原则？现在的高侧驱动信号与光耦的地线如下图，这样会有问题吗？

hywd 发表于 2021-1-21 19:15

提点个看法：第一，驱动芯片应尽量离mosfet近。第二，G和S信号线（即红色和青色线）间围的面积太大（你可以百度下瑞萨公司的那本mosfet应用指南）第三，光耦有那么大的驱动能力并且满足实现mosfet栅源级开通和关断电压的要求？
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