IPM炸
IPM按说是很成熟的产品，为何在应用中还是屡屡出现问题呢？最基本的，大家可以说是材料的问题，也有人会告诉你是过热，过流，过压击穿，相信每个人都有炸管的经历，对于这样的说法很多人都不买账，原因是太宽泛了，在控制中很多问题都会导致这些现象产生，那么那些最根本的问题包括什么呢，我抛砖引玉，希望各位大神都来说一下：
1.PI参数不合理，特别是I，在I比较大时，起动瞬间冲击完全能炸管，响声剧烈；
2.斩波频率不合理，目前说上限20K是针对IGBT而言，但实际应用中，适用于大电流的场合绝不是20k ，10K就上天了，你高了，空载可以，负载就等炸吧，相间短路；
3.有人拆开过炸管的IPM吗，轻伤（有黑点），那多半 是过压了，并且很多人都说是过压是最可能炸管的原因；
4.我的IPM直接炸开了，换句话说，里面的二级管，IGBT全没了，注意，全没了，这就说不清楚了，谁先炸了，谁后炸了，又是什么原因，有人说过压，有人说过流，但是我觉得相间短路可能大；
5.提了这么多相间短路，那么什么原因会导致这个呢，无非就是管子不可控了，只要能控，死区就存在，就不会直通，就能安全，不可控的话，假设人家IPM好好地，那就是你的驱动有问题，至于什么问题我也说不清，微电路的东西实在是摸不着头脑，有时候换一控制板就好了，你说怎么怀疑呢？
如果有人知道更深的，或更正以上说法的，还望不吝宝藏，分享给大家。但是我知道大神一般都不会在这儿说，微信问都不理，何况是这儿~~不过不能放弃，只要能讨论的大家一起解决吧 额，智能电源模块IPM和内置式永磁IPM确实容易混啊 版主所言极是，大家畅所欲言啊 3楼这人专管总结 想知道楼组说的I参数是指电流环参数吗，能否详细解释下I参数增加会引起何种冲击吗？？？ 做好电机电流硬件过流保护，以及IPM过热保护，做好散热，限制好电机相电流，应该可以避免很多的IPM损坏 多谢分享，很有道理 做实验经常遇到这个问题，今年两次IPM坏了，一次开路，一次短路 heguojia 发表于 2019-6-5 21:59
做实验经常遇到这个问题，今年两次IPM坏了，一次开路，一次短路
可以分享一下IPM损坏的原因，大家共同学习一下 本帖最后由 heguojia 于 2019-6-6 09:44 编辑
18201975434 发表于 2019-6-6 06:49
可以分享一下IPM损坏的原因，大家共同学习一下
不知道具体是怎么炸的，其实不叫炸，外观没有明显的损坏。第一次应该是门极端过压，结果是IPM里面有两路管子全部不导通了，第二次应该是管子过流或者短路了，测试的结果是二极管反向导通了，就是二极管短路了，不起作用，这样整个IPM也废了。这两次之前还有一次，那次稀里糊涂的，都不知道怎么坏的，坏在哪里，让他们直接给扔了。六楼说的做好过流过热保护，很重要，我们做实验，自己做的控制板，没有弄这些保护电路。 heguojia 发表于 2019-6-6 09:42
不知道具体是怎么炸的，其实不叫炸，外观没有明显的损坏。第一次应该是门极端过压，结果是IPM里面有两 ...
你还是学生？为什么会出现门极过压？还有过温过流保护正常都该有吧？IPM本身都有这样接口的 18201975434 发表于 2019-6-6 13:14
你还是学生？为什么会出现门极过压？还有过温过流保护正常都该有吧？IPM本身都有这样接口的
门极过电压，是一个本科生做毕设的时候，驱动端本来接15V，她不知道接了多少V，反正超了。我也还是学生，我当时图省事，这些东西都没考虑。IPM的保护也没用接。惭愧了，还要跟你们多学习。 LZ说的很片面，IPM/IGBT驱动设计时就需要设计好过流，过热保护电路，短路保护，过压保护电路，正常情况下，是很不容易坏的才对。 heguojia 发表于 2019-6-6 14:45
门极过电压，是一个本科生做毕设的时候，驱动端本来接15V，她不知道接了多少V，反正超了。我也还是学生， ...
了解了，看你的各种回答估计你是研究生，在研究深度弱磁这块，哈哈，互相学习 18201975434 发表于 2019-6-6 15:40
了解了，看你的各种回答估计你是研究生，在研究深度弱磁这块，哈哈，互相学习
互相学习，我还没有明确做什么呢，现在是瞎搞的状态，还望前辈多提意见。 这个原因根源找到了吗慢危险的 其实 成熟的控制板短路引起的爆炸几率还是很小的，大多是瞬间电压过大造成的损坏 IPM使用中过热保护是非常需要注意的，不可全部根据自带的NTC来做温度保护，要加温度补偿，最好是热电偶测不加散热器的壳温，并以此数据来做过温保护。 north 发表于 2020-3-25 13:34
IPM使用中过热保护是非常需要注意的，不可全部根据自带的NTC来做温度保护，要加温度补偿，最好是热电偶测不 ...
失效MOS开壳内部结构图 抛砖引玉，提一下最近的项目，最近正在做一个内置式PMSM电机控制器，直流24V电压，我做控制器和底层采用预驱+MOS方式，DRV8343S+DMTH6004；客户做应用层及提供电机，低转速段旋转高频注入法+高转速反电势。
目前遇到的问题就是高频注入时，如果注入幅值和频率选取不合理，会引起MOS管过流（估计原因是上下管导通），通过增加注入频率到500hz，减小注入幅值，死区调到4us，可以暂时解决问题。但是在相电流60A以上时还是会偶尔报过流故障，待解决中。
问题解决了在更新。
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