功率器件的驱动设计以及关断过冲电压应力的优化
mos或者IGBT驱动电路设计1，驱动功率设计决定了驱动电源功率输出P。
我实际经常使用的一个公式 ：P=V*Q*f
推导如下：Q=I/T,P=V*I=V*Q*T=V*Q*f。即得出上述公式。
2，驱动电阻ron/roff选取：
需满足开通慢关断快的特点。目的再于防止下管直通的风险；减小了开关损耗
三相桥电路中，1，特别需考虑开关损耗的影响。2，需满足在米勒区不会上下管直通即需满足一定的比例关系。
电压应力
三相桥电路或者回路中存在感性负载时，在关断时容易导致过冲电压。公式上的理解为Vpluse=L*di/dt。
以三相桥为例,mos门极在关断米勒区与离开米勒区后的瞬间发生关断过冲现象，维持时间为50ns级别。
需想办法在此变化瞬间做文章。例有源嵌位 写的好，有用 ，有用 你上面公式有问题哦！而且驱动里面需要考虑的参数动态特性！
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