IPM 电机磁阻转矩影响
老有文献讲到，提高磁阻转矩能够有效提高弱磁调速能力，这是为什么呢，这一点想不太彻底，不吝赐教 看看唐任远老师的书 651246878 发表于 2014-12-20 16:47看看唐任远老师的书
好的，谢谢了thanks 651246878 发表于 2014-12-20 16:47
看看唐任远老师的书
看哪块内容呢，没找着 增大Xq和凸极率可以提高磁阻力矩的吧！ 看这个公式就明白了，具体推导过程请看电机学。
前面部分是电磁转矩，后部分是磁阻转矩。 还是没有看明白，为什么提高磁阻转矩可以提高弱磁能力呢。这个公式有什么关系呢 是不是指的可以提高高速段的负载能力。 楼上正解，是提高高速段的负载能力。提高弱磁能力，能获得更高的转速 提高磁阻转矩就是要增大dq轴的电感差，那么就是要增大d轴电感，增大d轴电感有助于弱磁，具体可参照永磁电机的相量图。 小木 发表于 2016-9-26 09:03
提高磁阻转矩就是要增大dq轴的电感差，那么就是要增大d轴电感，增大d轴电感有助于弱磁，具体可参照永磁电机 ...
我不是很赞同您的说法，但是我自己对这个问题思考了很久也有很多疑惑。永磁同步电机都是直轴电感Ld小于交轴电感Lq的（直轴要穿过永磁体），正好凸极率也是Lq/Ld，所有的文献都是讲解的增大凸极率（即增大Lq和Ld的差值）来增加磁阻转矩从而增加弱磁扩速能力。确实增大d轴电感有利于弱磁，最理想的情况下是Ld足够大能够完全去磁这样电机可以无限扩速（实际是不可能达到的）。您有没有见过这样的问题，V型内置式永磁电机，咱们多加几层V能够提高凸极率，我的理解却是增加几层V之后直轴就会穿过更多层的气隙，使得在Lq不怎么变，Ld变小的情况下来增加凸极率的。希望论坛有人能帮忙解释一下。 Nephology 发表于 2016-9-26 09:17
我不是很赞同您的说法，但是我自己对这个问题思考了很久也有很多疑惑。永磁同步电机都是直轴电感Ld小于交 ...
转子上V的层数并非越多越好，超过两层后d轴电感减少带来的磁阻转矩的增多就不再明显了。在IPM设计中，其实并不建议通过增大Ld来实现增大弱磁能力和转矩密度。增大Lq的效果更好。纯属个人见解，不一定正确，还请指正。 本帖最后由 barocci339 于 2017-1-17 10:33 编辑
就IPM公式來說,電壓圓方程與d軸電感q軸電感相關,d軸電感的大小影響電壓圓的中心點,q軸電感影響電壓圓的大小,且這兩者的比值影響了電壓圓的形狀(橢圓IPM,圓SPM)而弱磁的極限就是電壓圓方程與電流圓方程相切的點
但從方程式來看,只增加d軸電感只會降低弱磁操作區間(因為在相同轉速下,電壓圓中心點往左邊偏移),只降低q軸電感的話電壓圓變大,自然操作區間(不論定轉矩區間或是弱磁區間)都會增加,
所以就降低q軸電感來講,磁阻轉矩當然就增加了,所以我覺得主要增加是因為dq兩軸電感的影響,磁阻轉矩的增加只是附屬的結果而已
這是我的看法 max能不能把电磁转剧和磁阻转剧分离开显示？ 杨杨 发表于 2016-12-31 06:15
转子上V的层数并非越多越好，超过两层后d轴电感减少带来的磁阻转矩的增多就不再明显了。在IPM设计中，其 ...
Lq一定情况下 减小Ld吧。 Lq相对而言不好增大吧。 小木 发表于 2016-9-26 09:03
提高磁阻转矩就是要增大dq轴的电感差，那么就是要增大d轴电感，增大d轴电感有助于弱磁，具体可参照永磁电机 ...
对于永磁式永磁同步电机，一般直轴气隙磁阻大于交轴气隙磁阻，所以会有Ld<Lq;
而对于电励磁式的永磁同步电机，就反过来了，一般Lq<Ld。磁阻转矩3/2 n_p（Ld-Lq）i_d i_q大小与永磁同步电机的凸极率（对于永磁式：凸极率ρ=Lq/Ld,一般大于1）有关。
对于增大磁阻转矩有利于弱磁调速，
我理解为弱磁调速会由于磁阻转矩增大，电机的转矩最大值增加，转矩调节范围增加，转速调节范围也会增加
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