不同占空比下MOS的发热工号问题请教
现有实验表明mos在20%占空比和80%占空比下的发热完全不一样，在20时发热很严重远远高于80.试验的模型是全桥驱动电路，上桥PWM斩波，下桥恒通恒关控制驱动电机。为什么20时候发热严重？还有是不是MOS的开关损耗要大于导通损耗？请教各位高手。 貌似导通损耗与频率没有关系吧，而开关损耗与频率有关，频率一定以及工作条件相同的时候，开关频率是一定的；导通损耗与占空比有关系，占空比越大，导通损耗应该越大，你这试验与理论相反啊！是不是工作频率、电压、电流等条件不一样啊 还有得根据具体电路结构进行分析 空载时，也是如此吗？
开关频率很高吗？若是，则应分解出开关频率造成的损耗量；
电流流过电阻产生损耗；
导通时，电流大但电阻极小；
关断时电阻极大，但若漏电流大，是否会造成较大的发热（损耗）呢？
我的猜测：mos管品质或栅极驱动有问题…… kaku2013 发表于 2013-9-18 11:34
空载时，也是如此吗？
开关频率很高吗？若是，则应分解出开关频率造成的损耗量；
电流流过电阻产生损耗； ...
空载时不会，电流高了才会。开关频率在20K左右。导通损耗是不是与导通时流过的电流ID和MOS内阻正比？开通关断损耗是那个电压与电流的关系呢？ jorken 发表于 2013-9-18 10:58
还有得根据具体电路结构进行分析
应用在电机上，有续流的原因确实需要具体分析 开关损耗是开通、关断时，MOS管上电压与电流的乘积，由于电压、电流都有较大值的过渡过程，因此开关时间与频率接近时损耗较大，用示波器一看便知。
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