为什么闭口槽反电动势波形正弦度要比半闭口槽的差呢

lm651878751 · 发表于 2013-5-6 16:42

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本帖最后由 lanjeo 于 2015-4-29 10:30 编辑

今天做了一下仿真，发现闭口槽的反电动势THD要比半闭口槽的差，请问这是什么原因呢？是因为漏磁增加造成的吗？另外，若想使用闭口槽，采用怎样的办法才能使反电动势的THD降低呢，谢谢各位！

shallyboy · 发表于 2013-5-8 09:17

本帖最后由 lanjeo 于 2015-4-29 10:30 编辑

反电动势THD和很多因素有关呀，槽口大小是其中一个重要因素，可以查查反电动势计算相关文章

sxwii · 发表于 2013-5-8 09:53

本帖最后由 lanjeo 于 2015-4-29 10:31 编辑

其它参数一致的情况下，定子冲片闭口槽与半闭口槽的结构对气隙磁密波形影响肯定有区别。闭口槽结构的反电势波形要好于开口结构的反电势波形吧。希望楼主把槽型图纸与仿真图纸贴上来。

huangyk · 发表于 2013-5-8 22:44

本帖最后由 lanjeo 于 2015-4-29 10:31 编辑

反电势波形主要和永磁形状与充磁方向、绕组连接方式有关，你可以换几种情况来试试

sissy007 · 发表于 2015-11-25 21:44

最好是有仿真的图片

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