芯片技术的进展
igbt4基本上是基于已知的igbt3沟槽栅结构并结合经优化的包含n—衬底、n-场截止层和后端发射极的纵向结构。与第三代igbt相比，这将使总损耗更低，开关行为更为轻柔，同时芯片的面积也更小。此外，p/n结的最高结温tjmax从150℃升高至175℃。这将在静态和动态过载情况下建立一个新的安全裕度。igbt4系列产品的特点是有一个为高、中、低功率应用而优化的纵向结构;开关性能和损耗适用于给定的功率等级。这里所展示的结果集中在中等功率范围(50a-600a)的应用，采用的是低电感模块，开关速率在4-12khz之间(这相当于igbt4l)。当在更高电流密度情况下使用新一代igbt，具有高电流密度的续流二极管也是需要的，尤其是对那些具有最大芯片封装密度的模块。基于这个原因，在现有cal(可控轴向长寿命)二极管技术的基础上开发了新的cal4续流二极管，其特点在于对任何电流密度的软开关性能，耐用度(高di/dt)以及低反向恢复峰值电流和关断损耗。cal4fwd的基本结构只是背面带有n/n+结构的薄n——衬底(图1b)。为了减少产生的损耗，n缓冲层被优化，采用较薄n+晶圆，活动表面积增大(即小边结构)，纵向载流子寿命被优化。因此，新的，经过改进的cal4二极管是很出色，除了电流密度提高了30%，其正向电压更低及切换损耗也与上一代相类似(cal3，tjop=常数)。为增加p/n结的最高结温至175℃，使用了新的边缘端钝化。
非常感谢楼主关于IGBT最新技术发展
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